Módulo CM20TF-12H Transistor Bipolar De Puerta Aislada IGBT, Control De Alta Potencia De Semiconductores De Cuatro Capas

Detalles del producto

El IGBT es un dispositivo semiconductor de estado sólido con cuatro capas de material alterno de tipo N y P. El IGBT es un conjunto más grande de dispositivos con al menos cuatro capas de material alterno de tipo N y P. El IGBT puede controlar una cantidad relativamente grande de energía y voltaje con un dispositivo pequeño. Placa base de cobre grueso. Tipo aislado. Paquete estándar de matriz metálica gruesa de AL y doble adhesivo.

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Shenzhen Mindley Technology Co., Ltd 8 productos total Visita la página del proveedor